为了追赶SK海力士AI用HBM龙头地位，三星电子更换其半导体部门的负责人，任命了1位存储器资深人士，以带头努力在蓬勃发展的人工智能领域赶上SK海力士。

5月21日，三星电子宣布由全永贤（Jun Young Hyun）接替庆桂显（Kyung Kyehyun）的 DS（设备解决方案）部负责人职务。

庆桂显则将接手全永贤调岗后留下的三星电子未来业务规划部负责人职务，并继续担任三星电子综合技术院（SAIT）总裁，专注于为三星电子寻找新的增长机会。

全永贤于 2000 年加入三星电子存储部门，从事 DRAM 内存和 NAND 闪存的开发和战略营销工作。

他于2014年成为三星电子存储业务负责人，2017年成为三星SDI的CEO。全永贤2024 年初就任未来业务规划部负责人，仅半年后就再度更换岗位。

三星电子表示：“作为将三星电子的存储半导体和电池业务发展到全球最高水平的关键人物，我们期待他（全永贤）凭借丰富的管理知识克服半导体危机。”

事实上，当三星电子在5月21日任命未来业务规划部部长（副会长）全英贤为DS（设备解决方案）部门负责人，负责半导体业务时，内部反应是“我不知道”。三星电子的一名员工说：“我们是通过新闻稿的公告了解这些内容的。

据财经界人士透露，三星电子首席执行官、总裁兼DS部门负责人庆桂显（Kyung Kye-Hyun）近日会见了CEO兼副会长韩钟熙（DX部门负责人），表达了辞职意向，并完成了咨询并向董事会汇报。

一位商界人士表示，“此前，在2017年，曾发生过DS事业部会长权玉贤为了后辈决定自愿辞职的案例”，“面对记忆行业的反弹，庆桂显似乎也觉得需要换代，决定自己辞职。

根据四月末公布的一季度财报，三星电子的芯片业务在连续 5 个季度的亏损后终于扭亏为盈：

三星电子这部分业务上季度实现23.1万亿韩元（约合人民币1231.23亿元）销售额和1.91万亿韩元（约合人民币101.8 亿元）营业利润。

宣布人事异动之际，三星在关键存储器业务的成长步伐已落后竞争对手。目前SK海力士在高频宽存储器(HBM)领域处于领先地位，AI的快速崛起，令这类芯片需求出现爆炸性成长。SK海力士此前表示，今年的HBM产能已销售一空。

SK海力士计划斥资146亿美元在南韩兴建新的存储器厂，以满足对HBM芯片的需求，并且耗资40亿美元，在美国印第安纳州兴建首座先进封装厂。

三星也积极朝向全球扩张，并计划未来几年向美国芯片制造业投资400亿美元。该公司此前表示，目前已开始量产8层堆栈的HBM3E，计划于Q2量产12层堆栈HBM芯片，并预估今年HBM供货量将比去年增加至少3倍。